近期根據臺積電聲明，為迎接臺積電3nm廠研發(fā)及先期量產，臺灣政府方面于本月11日初審通過了竹科寶山用地擴建計劃，臺積電將會把2nm廠研發(fā)及量產工藝落戶在竹科新廠區(qū)，預計2024年投入生產。

為打造半導體人才聚落，臺積電盼以竹科作為未來先進制程重要基地，擴大新竹園區(qū)范圍，預計在新竹園區(qū)南側、新竹縣寶山鄉(xiāng)分作東側園區(qū)及西側社區(qū)兩部分擴建，總面積約33公頃，可望引進產業(yè)活動人口約2,300人。

臺積電表示現有RD廠只能做到5nm，3nm以下廠房標準、高度，必須配合新規(guī)定而擴大廠房。并且強調臺積電RD工程師約有7,000位，必須把這些工程師人才留在新竹。

臺積電表示未來如何把RD工程師轉換到先進2nm廠才是重點，因準備土地要花三到五年時間，從現在考慮到五年后，也就是說，假設2nm廠須放在新竹，才能把部分工程師從研發(fā)轉換到工廠，保證不會出現人才流失的現象。

臺積電創(chuàng)辦人張忠謀先前曾表示，3nm制程將在2年內開發(fā)成功。而關于2nm工藝所需要的技術和材料，臺積電并未透露。

在實現2nm工藝之前，臺積電還要接連經歷7nm、6nm、5nm、3nm等多個工藝節(jié)點。

其中，臺積電的7nm 工藝將首次引入EUV極紫外光刻技術，目前已即將量產；而6nm只是7nm的一個升級版，預計明年第一季度試產；5nm工藝將全面導入EUV光刻，已經開始風險性試產，明年底之前有望實現量產，蘋果A14、AMD五代銳龍（Zen 4都有望采納）；3nm有望在2021年試產、2022年量產。三星也早就規(guī)劃到了3nm，預期2021年量產。