??3月20日，蘇州維特萊恩科技集團(tuán)有限公司聯(lián)合德國(guó)WTI集團(tuán)和蘇州優(yōu)晶光電科技有限公司，在上海東郊賓館舉辦“首臺(tái)套大尺寸電阻法碳化硅設(shè)備創(chuàng)新發(fā)布會(huì)”，正式發(fā)布該公司大尺寸電阻法碳化硅單晶生長(zhǎng)設(shè)備及工藝。俄羅斯圣彼得堡國(guó)立電子科技大學(xué)、俄羅斯科學(xué)院EZAN實(shí)驗(yàn)室、新西伯利亞國(guó)立大學(xué)、俄羅斯Skolkovo創(chuàng)新中心、烏克蘭Vibrostorm+和亞美尼亞HT Crystals等單位代表出席大會(huì)。一同出席的還有來(lái)自全國(guó)各地的行業(yè)專家、政府領(lǐng)導(dǎo)、投資機(jī)構(gòu)代表和媒體記者，共100余人。

　　大尺寸電阻法碳化硅設(shè)備的發(fā)布昭示著我國(guó)在大尺寸、高品質(zhì)碳化硅晶體生長(zhǎng)裝備及配套生長(zhǎng)技術(shù)上取得了突破性進(jìn)展，技術(shù)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)該領(lǐng)域的空白。這將打破西方發(fā)達(dá)國(guó)家對(duì)碳化硅單晶生長(zhǎng)裝備及其襯底片的長(zhǎng)期壟斷，并大幅降低國(guó)內(nèi)碳化硅裝備制造及碳化硅襯底片生產(chǎn)的成本，促進(jìn)第三代半導(dǎo)體元器件在軍工、通信、高鐵、新能源汽車等領(lǐng)域更為廣泛的應(yīng)用。

　　蘇州維特萊恩科技集團(tuán)有限公司董事長(zhǎng)（德國(guó)WTI集團(tuán)全球總裁）約瑟夫衛(wèi)爾德先生表示，維特萊恩一直專注于電阻法大尺寸碳化硅長(zhǎng)晶爐及工藝技術(shù)的研究與開(kāi)發(fā)，通過(guò)與俄羅斯Tairov技術(shù)團(tuán)隊(duì)的緊密合作，目前取得了具有顯著創(chuàng)新性和先進(jìn)性的階段性成果，這一成果是中、俄、德三國(guó)國(guó)際合作的典范，維特萊恩愿意為中國(guó)乃至世界的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供最優(yōu)的制造裝備和襯底產(chǎn)品。

　　蘇州維特萊恩科技集團(tuán)有限公司總裁（蘇州優(yōu)晶光電科技有限公司董事長(zhǎng)）麗莎劉女士介紹說(shuō)，維特萊恩的電阻法碳化硅長(zhǎng)晶爐工藝簡(jiǎn)單、自動(dòng)化程度高、長(zhǎng)晶時(shí)間短、設(shè)備性能穩(wěn)定，符合未來(lái)大尺寸碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)；生長(zhǎng)出的晶體位錯(cuò)密度和微管密度低、晶型單一、有效厚度大、有效產(chǎn)片率高，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)6英寸以上大尺寸碳化硅晶體市場(chǎng)空白。未來(lái)我們將更加緊密地與俄羅斯、烏克蘭、亞美尼亞等國(guó)相關(guān)領(lǐng)域的科研院所合作，完善生長(zhǎng)裝備與工藝技術(shù)，助力寬禁帶半導(dǎo)體器件和下游產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。

　　發(fā)布會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，遠(yuǎn)在俄羅斯的Tairov老先生通過(guò)現(xiàn)場(chǎng)連線表達(dá)了對(duì)麗莎劉及其團(tuán)隊(duì)感謝，作為俄羅斯聯(lián)邦政府獎(jiǎng)獲得者，為祖國(guó)服務(wù)榮譽(yù)勛章獲得者，他對(duì)麗莎劉及其團(tuán)隊(duì)的付出給予了充分的認(rèn)可，使得他發(fā)明的電阻法大尺寸碳化硅設(shè)備得以在中國(guó)落地，并預(yù)祝發(fā)布會(huì)取得圓滿成功。

　　現(xiàn)場(chǎng)6位領(lǐng)導(dǎo)共同宣布國(guó)際聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室正式啟動(dòng)，并舉行現(xiàn)場(chǎng)簽約儀式，到場(chǎng)的嘉賓與媒體朋友們共同見(jiàn)證了這一重要時(shí)刻，將發(fā)布會(huì)的氣氛推向了高潮。

　　中國(guó)硅酸鹽學(xué)會(huì)晶體生長(zhǎng)與材料分會(huì)理事長(zhǎng)、天津理工大學(xué)教授胡章貴博士認(rèn)為：“俄羅斯的Tairov是國(guó)際公認(rèn)的碳化硅單晶工業(yè)化生長(zhǎng)技術(shù)的鼻祖。我國(guó)從上世紀(jì)末開(kāi)始起步，目前已突破2英寸和4英寸的感應(yīng)法生長(zhǎng)技術(shù)，仍面臨著晶體良率不高和有效利用率較低等問(wèn)題，導(dǎo)致國(guó)內(nèi)碳化硅襯底片的價(jià)格一直無(wú)法與國(guó)外同類產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)，更滿足不了國(guó)內(nèi)的市場(chǎng)需求。電阻法碳化硅晶體生長(zhǎng)方法具有溫場(chǎng)可調(diào)、生長(zhǎng)過(guò)程自動(dòng)化程度高、晶體有效利用率大等特點(diǎn)，特別適合6英寸以上大尺寸碳化硅晶體的生長(zhǎng)，是一種非常有發(fā)展?jié)摿Φ母咂焚|(zhì)碳化硅生長(zhǎng)技術(shù)。建議在產(chǎn)業(yè)化過(guò)程中充分借鑒國(guó)內(nèi)已有的感應(yīng)法生長(zhǎng)經(jīng)驗(yàn)，加強(qiáng)與國(guó)內(nèi)從事相關(guān)領(lǐng)域的科研院所的技術(shù)合作，盡快形成碳化硅襯底片的產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)?！?/span>

　　藍(lán)寶石長(zhǎng)晶領(lǐng)域?qū)＜遥枮I工業(yè)大學(xué)張明福教授指出：“碳化硅和藍(lán)寶石都是半導(dǎo)體器件的重要襯底材料，藍(lán)寶石已在LED、光電窗口、手機(jī)屏中得到很好地應(yīng)用；碳化硅具有禁帶寬、擊穿電壓高，器件耐高溫等特點(diǎn)，是高亮度LED、大功率半導(dǎo)體器件襯底的首選材料；今天很高興見(jiàn)證了維特萊恩公司大尺寸電阻法碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備的發(fā)布，該公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)與碳化硅生長(zhǎng)技術(shù)的鼻祖、俄羅斯Tairov技術(shù)團(tuán)隊(duì)緊密合作，短時(shí)間內(nèi)使國(guó)內(nèi)的碳化硅生長(zhǎng)設(shè)備與技術(shù)達(dá)到了國(guó)際領(lǐng)先水平?！睆埥淌诮ㄗh維特萊恩盡快與資本結(jié)合，使該技術(shù)產(chǎn)業(yè)化，推動(dòng)我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)步和相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。