1521
2020-03-17
??近日，中國科學院大連化學物理研究所催化基礎(chǔ)國家重點實驗室研究員傅強團隊與臺積電（TSMC）Lain-Jong Li團隊、臺灣交通大學Wen-Hao Chang團隊、美國萊斯大學B. I. Yakobson團隊、北京大學教授張艷峰團隊合作，在2英寸晶圓襯底上成功外延生長單晶六方氮化硼（hBN）單層薄膜。
六方氮化硼是一類重要的二維半導(dǎo)體層狀材料，如何在晶圓上實現(xiàn)單晶六方氮化硼薄膜的可控生長是六方氮化硼未來應(yīng)用于集成電路中的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。研究人員在藍寶石基底上生長表面取向為（111）的無晶界單晶銅薄膜，以此作為襯底進一步制備完全有序的六方氮化硼晶圓片。對大面積單層薄膜結(jié)構(gòu)單晶性質(zhì)的表征和確認是兩維材料研究中一個公認難題。研究人員借助于實驗室自行研制的深紫外激光PEEM/LEEM裝備，利用其特有的表面微區(qū)成像和衍射功能，在1英寸晶圓表面上選取近百個微米尺寸的微區(qū)進行結(jié)構(gòu)分析，實驗結(jié)果證實，六方氮化硼薄膜與Cu(111)襯底表面取向完全一致，確認了該單層薄膜的單晶特性。
相關(guān)成果發(fā)表在《自然》（Nature）上。該工作得到國家自然科學基金科學中心項目、中科院戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項B類“能源化學轉(zhuǎn)化的本質(zhì)與調(diào)控”、國家重大科研裝備研制項目等資助。
大連化物所等利用深紫外激光PEEM/LEEM表征晶圓六方氮化硼結(jié)構(gòu)研究獲進展
版權(quán)與免責聲明：
（1） 凡本網(wǎng)注明"來源：顆粒在線"的所有作品，版權(quán)均屬于顆粒在線，未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已獲本網(wǎng)授權(quán)的作品，應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用，并注明"來源：顆粒在線"。違反上述聲明者，本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責任。
（2）本網(wǎng)凡注明"來源：xxx（非顆粒在線）"的作品，均轉(zhuǎn)載自其它媒體，轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負責，且不承擔此類作品侵權(quán)行為的直接責任及連帶責任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)下載使用，必須保留本網(wǎng)注明的"稿件來源"，并自負版權(quán)等法律責任。
（3）如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題，請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
