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          《Science》美國加利福尼亞大學實現(xiàn)原子尺度鐵電性研究

          來源:高分子科學前沿 3234 2022-05-09

          顆粒在線訊:自從在HfO2-ZrO2基薄膜中發(fā)現(xiàn)鐵電性和反鐵電性以來,螢石結構二元氧化物重新燃起了人們的興趣,因為它們可以有效克服鈣鈦礦材料和硅襯底之間的兼容性問題。早期人們通常在10 nm厚的HfO2-ZrO2固溶體薄膜中研究螢石結構體系鐵電-反鐵電之間的相互競爭關系??紤]到電壓驅動極化開關對存儲器應用的影響,螢石結構系統(tǒng)中鐵電有序的基本尺寸限制至關重要。最近的研究表明,在外延和多晶Zr:HfO2薄膜中,鐵電體固溶體的厚度降低到了2 nm以下。

          為了實現(xiàn)原子尺度鐵電性,美國加利福尼亞大學Suraj S. Cheema教授聯(lián)合Sayeef Salahuddin教授團隊通過調控傳統(tǒng)ZrO2(t-ZrO2:P42/nmc)薄膜厚度使得反鐵電四方相(t相)轉換為ZrO2(o-ZrO2:Pca21)的鐵電正交相(o相)。這種厚度減薄極大穩(wěn)定了螢石基氧化物中壓力誘導的鐵電o相,這一過程主要通過超薄結構中的靜水壓、化學壓力或外延應變來實現(xiàn),類似于在典型鈣鈦礦鐵電體中觀察到的尺寸驅動的反鐵電-鐵電相變。這一重大發(fā)現(xiàn)為鐵電存儲器的實際應用提供了新的契機。

          美國加利福尼亞大學實現(xiàn)原子尺度鐵電性研究

          【原子尺度鐵電性】

          通過同步輻射x射線和透射電子顯微鏡(TEM)分析證實了厚度為10 nm至5 ?的ZrO2薄膜,該薄膜通過原子層沉積在SiO2上生長。為了研究ZrO2厚度對其反鐵電-鐵電演化過程的影響,作者研究了相應t相和o相的結構特征。同步輻射面內掠入射衍射(IP-GID)光譜證實了較厚(3 nm至10 nm)ZrO2薄膜中t相(101)晶面,以及超薄薄膜中出現(xiàn)厚度為5?的o相(111)晶面薄膜,同時形成高取向的薄膜。通過局部氧原子成像可以進一步區(qū)分幾乎相同的極性o相和非極性t相結構的晶型。采用氧敏感負球差成像和高分辨率TEM(HR-TEM)以及HR-TEM模擬的輔助下,確定了5 nm ZrO2薄膜的非極性t相。值得注意的是,該技術表明,極性o相出現(xiàn)在2 nm ZrO2薄膜中,x射線分析將其精確定位為鐵電o-ZrO2穩(wěn)定晶相結構,其特征是沿[110]晶面投影呈現(xiàn)出鋸齒狀氧排列。此外,傳統(tǒng)陽離子成像的晶格角分析分別與5 nm和2 nm ZrO2薄膜結晶結構模擬相匹配,并與氧成像結果一致。

          ZrO2中原子尺度鐵電性的演變

          圖1 ZrO2中原子尺度鐵電性的演變

          【鐵電性演化規(guī)律】

          為了進一步驗證厚度對薄膜反鐵電-鐵電轉變的影響規(guī)律,采用同步輻射x射線研究相應鐵電相的結構特征。根據(jù)厚度相關GID,螢石結構薄膜晶格畸變、晶面晶格間距(o-d111或t-d101)和縱橫比[2c/(a+b)或c/a]在薄膜厚度小于3 nm時急劇上升。上述結果表明,在極限原子尺度下,極性o-ZrO2穩(wěn)定性得到提升。此外,從螢石結構的x射線吸收光譜結果來看,3 nm以下的晶體場分裂更顯著,表明晶體極性畸變更為明顯。實際上,對于5 ?和10 ? ZrO2,由極性畸變產生的二次晶體場分裂的出現(xiàn)。光學顯微結構也佐證與厚度相關的鐵相演化,因為隨著ZrO2厚度的減小,宏觀極化相關的二次諧波(SHG)信號隨之增強,并與超薄薄膜極性畸變趨勢基本吻合。此外,金屬氧化物半導體電容器的厚度相關電容電壓 (C-V) 測量表明,從類似反鐵電體的t相介電常數(shù)(κ)κ~40,而相對于超薄ZrO2薄膜,類鐵電o相介電常數(shù)κ ~ 30,該趨勢與結構表征結果相一致。

          超薄ZrO2薄膜中厚度與其鐵電演化之間的關系

          圖2 超薄ZrO2薄膜中厚度與其鐵電演化之間的關系

          【極化開關性能】

          為了進一步表征材料的電學性能,作者制備得到具有不同ZrO2厚度的金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器。從5 nm和10 nm厚ZrO2的MIM極化電壓(P-V)曲線中可知,較厚的t-ZrO2區(qū)域表現(xiàn)出典型的反鐵電雙滯后特征。重要的是,常規(guī)P-V探針不能應用于超薄區(qū),在超薄區(qū)中,非極化漏電流屏蔽了極化開關電流。為了抑制漏電流的同時直接探測超薄ZrO2薄膜的極化開關特性,作者制作了叉指電極(IDE)以研究平面內(IP)極化開關特性。在IDE結構中,泄漏電流不再受ZrO2厚度的限制(~5?至10 nm),而是由IP電極間距決定(~1μm)。對于較厚(5 nm和10 nm)的t-ZrO2薄膜,觀察到了螢石結構反鐵電體從場誘導非極性到極性的相變過程。當ZrO2降至臨界2 nm厚度以下時,1 nm和5 ? ZrO2的P-V行為顯示出類似鐵電體的反向極化開關行為。

          超薄ZrO2薄膜中厚度與極化開關之間關系

          圖3 超薄ZrO2薄膜中厚度與極化開關之間關系

          【總結】

          對于HfO2-ZrO2二元氧化物家族,ZrO2中原子尺度鐵電性的出現(xiàn)突出了螢石結構尺寸效應的獨特性質。因此,薄膜厚度的減薄可以跨越螢石鐵電-反鐵電相圖,超出已建立的HfO2 ZrO2結構空間。此外,螢石結構中5 ?單位晶胞的極化轉變驗證了其鐵電起源的假設。重要的是,5 ? ZrO2的鐵電極化轉變溫度可以超過125 °C,這對于鐵電存儲器件的實際應用大有裨益。

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